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IPB107N20N3G	文件：452.77 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC6124	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPB107N20N3G	文件：739.46 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS 3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IPB107N20N3	文件：244.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多IPB107N20N3G供应商更新时间2024-4-25 17:00:00