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IPB120N06S4-H1	文件：175.74 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor Features •N-channel-Enhancementmode •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IPB120N06S4-H1	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n• AEC qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green Product (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 60V (on) \n• highest current capability\n• lowest switching and conduction power losses for hi;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IPI120N06S4-H1	文件：175.74 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2Power-Transistor Features •N-channel-Enhancementmode •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
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IPB120P04P4-04	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON TO263	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司上传：瀚佳科技(深圳)有限公司

技术参数

OPN：
IPB120N06S4H1ATMA2
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK (PG-TO263-3)
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
2 mΩ
ID @25°C max：
120 A
QG typ @10V：
208 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
OptiMOS™-T2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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