IPB029N06N3G资料datasheet下载原装现货ISC-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IPB029N06N3G	文件：298.72 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：298.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB029N06N3G	文件：483.4 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. 文件：483.4 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPB029N06N3	文件：299.87 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB034N06L3G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	INFINEON 英飞凌上传：深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	INFINEON
IPB034N06L3GATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂封装	INFINEON 英飞凌上传：深圳市朱博士电子科技有限公司	INFINEON

型号：
IPB029N06N3G
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS?3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

更多IPB029N06N3G供应商更新时间2026-1-30 13:28:00