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IPB160N04S3-H2

40 V、N 通道、最大 2.1 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK 7 引脚、OptiMOS ™ -T

• N 通道 - 增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装(无铅)\n • 超低 RDS(on)\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;

Infineon

英飞凌

IPB160N04S3-H2

OptiMOS-T Power-Transistor

文件:197.75 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPB160N04S4H1ATMA1

TO-263-7

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市大联智电子有限公司

INFINEON/英飞凌

IPB180N04S4-01

TO263

INFINEON/英飞凌

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INFINEON/英飞凌

IPB180N04S4-H0

SOT263-7

Infineon

英飞凌

上传:深圳市富源半导体有限公司

技术参数

  • IDpulsmax:

    640 A

  • Ptotmax:

    214 W

  • QG(typ @10V) max:

    110 nC

  • RDS (on)(@10V) max:

    2.1 mΩ

  • RthJCmax:

    0.7 K/W

  • VDSmax:

    40 V

  • VGS(th)min:

    2.1 V

  • VGS(th)max:

    4 V

  • Package:

    D2PAK (PG-TO263-7)

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™-T

  • Polarity:

    N

  • Qualification:

    Automotive

  • Budgetary Price €/1k:

    1.62

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IPB160N04S3-H2供应商 更新时间2025-12-2 17:40:00