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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IPB160N04S3-H2 | 40 V、N 通道、最大 2.1 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK 7 引脚、OptiMOS ™ -T • N 通道 - 增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装(无铅)\n • 超低 RDS(on)\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IPB160N04S3-H2 | OptiMOS-T Power-Transistor 文件:197.75 Kbytes 页数:9 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
TO-263-7 | INFINEON/英飞凌 上传:深圳市大联智电子有限公司 | INFINEON/英飞凌 | ||
TO263 | INFINEON/英飞凌 上传:深圳市大联智电子有限公司 | INFINEON/英飞凌 | ||
SOT263-7 | Infineon |
技术参数
- IDpulsmax:
640 A
- Ptotmax:
214 W
- QG(typ @10V) max:
110 nC
- RDS (on)(@10V) max:
2.1 mΩ
- RthJCmax:
0.7 K/W
- VDSmax:
40 V
- VGS(th)min:
2.1 V
- VGS(th)max:
4 V
- Package:
D2PAK (PG-TO263-7)
- Operating Temperature:
-55 °C to 175 °C
- Technology:
OptiMOS™-T
- Polarity:
N
- Qualification:
Automotive
- Budgetary Price €/1k:
1.62
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263-7 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO263-7 |
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Infineon(英飞凌) |
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TO-263-7 |
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TO263 |
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INFINEON |
24+ |
PG-TO263-7D2-PAK(T |
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TO-263-7 |
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更新时间2025-12-2 17:40:00
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