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|---|---|---|---|---|
IPB04N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor 文件：348.17 Kbytes 页数：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
IPB04N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor 文件：348.25 Kbytes 页数：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：349.48 Kbytes 页数：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
IPB04N03LA | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
OptiMOS®2 Power-Transistor | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IPB04N03LA
- 功能描述：
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
32000 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPB04N03LA即刻询购立享优惠#长期有货 |
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Infineon |
24+ |
TO-263 |
7500 |
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INFINEON |
2012+ |
TO-263 |
12000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
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PG-TO263-3-2 |
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INFINEON |
24+ |
TO-263 |
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infineon |
25+ |
to-263/d2-pak |
32500 |
普通 |
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Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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INFINEON |
25+ |
TO263-3 |
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更新时间2026-1-30 17:32:00
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