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IPB100N04S3-03	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、N 沟道、最大 2.5 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -T • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (RoHS compliant)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 40V (on)\n • highest current capability\n • lowest ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB100N04S3-03	文件：202.3 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：202.3 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

RDS (on)(@10V) max：
2.5mΩ
QG(typical) ：
110.0nC
VDS max：
40.0V
ID max：
100.0A
RthJC max：
0.7K/W
Ptot max：
214.0W
IDpuls max：
400.0A
VGS(th) min max：
2.1V 4.0V

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深圳市亚泰盈科电子有限公司	IPB100N04S3-03	INFINEON		SOT-263	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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更多IPB100N04S3-03供应商更新时间2025-10-14 9:11:00

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