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IPI100N04S3-03	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET ·N-channel - Enhancement mode\n ·Automotive AEC Q101 qualified\n ·MSL1 up to 260°C peak reflow\n ·175°C operating temperature\n ·Green package (RoHS compliant)\n ·Ultra low Rds(on)\n ·100% Avalanche tested;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI100N04S3-03	文件：202.3 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：202.3 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP100N04S3-03	文件：202.3 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：202.3 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

QG(typical) ：
110.0nC
VDS max：
40.0V
ID max：
100.0A
RthJC max：
0.7K/W
Ptot max：
214.0W
IDpuls max：
400.0A
VGS(th) min max：
2.1V 4.0V

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更多IPI100N04S3-03供应商更新时间2025-10-7 16:30:00

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