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IPB45N06S4L-08	文件：176.49 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB45N06S4L-08	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET; • N-channel - Enhancement mode\n• AEC Q101 qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green Product (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 60V (on) \n• highest current capability\n• lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n• robust packages with superior quality and reliability\n• Optimized total gate charge enables smaller driver output stages\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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技术参数

OPN：
IPB45N06S4L08ATMA3
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK (PG-TO263-3)
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
7.9 mΩ
ID @25°C max：
45 A
QG typ @10V：
49 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™-T2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPB45N06S4L-08供应商更新时间2025-7-29 8:36:00

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