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IPI45N06S4L-08	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n• AEC Q101 qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green Product (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 60V (on) \n• highest current capability\n• lowest switching and conduction power losses f;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI45N06S4L-08	文件：176.49 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：176.49 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

VDS max：
60.0V
ID max：
45.0A
RDS (on)(@10V) max：
8.2mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
14.0mΩ
QG(typical) ：
49.0nC
VGS(th) min max：
1.2V 2.0V

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深圳和润天下电子科技有限公司	IPI45N06S4L-08	INFINEON/英飞凌	22+	TO262-3	91300		询价
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更多IPI45N06S4L-08供应商更新时间2025-11-19 14:17:00

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