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GTVA355001EC中文资料Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 500 W, 50 V, 2900 – 3500 MHz数据手册MACOM规格书

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厂商型号

GTVA355001EC

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 500 W, 50 V, 2900 – 3500 MHz

制造商

MACOM Tyco Electronics

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GTVA355001EC

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Peak Output Power Range

    :500 W\>> 500 W

  • Frequency Range

    :2.7 - 4 GHz

  • Technology

    :GaN on SiC

  • Frequency (Min)

    :2.9 GHz

  • Frequency (Max)

    :3.5 GHz

  • Peak Output Power

    :500 W

  • Gain

    :7 dB\>>7 dB

  • Efficiency

    :65%

  • Operating Voltage

    :50 V

  • Form

    :Packaged Discrete Transistor

  • Package Type

    :Bolt Down

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