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GTVA126001EC-V1-R0数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
GTVA126001EC-V1-R0 |
| 参数属性 | GTVA126001EC-V1-R0 封装/外壳为SOT-957A；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET |
| 功能描述 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W |
| 封装外壳 | SOT-957A |
| 制造商 | Wolfspeed(CREE) WOLFSPEED, INC. |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 17:30:00 |
| 人工找货 | GTVA126001EC-V1-R0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
GTVA126001EC-V1-R0规格书详情
简介
GTVA126001EC-V1-R0属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的GTVA126001EC-V1-R0晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
GTVA126001EC-V1-R0
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
GaN
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HEMT
- 频率：
1.2GHz ~ 1.4GHz
- 增益：
20dB
- 功率 - 输出：
600W
- 封装/外壳：
SOT-957A
- 供应商器件封装：
H-36248-2
- 描述：
600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
244 |
现货供应 |
询价 | |||
CREE |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Wolfspeed |
25+ |
Tube |
4430 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
Wolfspeed Inc. |
25+ |
H-36248-2 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
Wolfspeed |
22+ |
H-36248-2 |
1200 |
只做原装,假一罚十价格低。 |
询价 | ||
Cree/Wolfspeed |
2022+ |
H-37265J-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 |
