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GTVA261701FA-V1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
GTVA261701FA-V1规格书详情
描述 Description
The GTVA261701FA is a 170-watt (P3dB) GaN-on-SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange.
特性 Features
·Typical Pulsed CW performance; 2690 MHz; 48 V
·Output power P3dB 170 W
·Efficiency 75 %
·Gain 15 dB
·Capable of handling 10:1 VSWR @ 48 V; 40 W (CW) output power
·RoHS compliant
·Input matched
应用 Application
·Multi-standard Cellular Power Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：GTVA261701FA-V1
- 生产厂家
：MACOM
- Min Frequency (MHz)
：2300
- Max Frequency(MHz)
：2700
- P3dB Output Power(W)
：170
- Gain(dB)
：17.0
- Efficiency(%)
：43
- Operating Voltage(V)
：50
- Package Category
：Earless
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Technology
：GaN-on-SiC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SMD-10 |
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