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GTVA261701FA-V1	文件：750.06 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz Description The GTVA261701FA is a 170-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT 文件：750.06 Kbytes 页数：10 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
GTVA261701FA-V1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Power RF GaN-on-SiC HEMT 170 W, 50 V, 2.62 - 2.69 GHz The GTVA261701FA is a 170-watt (P3dB) GaN-on-SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. ·Typical Pulsed CW performance; 2690 MHz; 48 V\n·Output power P3dB 170 W\n·Efficiency 75 %\n·Gain 15 dB\n·Capable of handling 10:1 VSWR @ 48 V; 40 W (CW) output power\n·RoHS compliant\n·Input matched;	MACOM	MACOM
GTVA261701FA-V1-R0	文件：750.06 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz Description The GTVA261701FA is a 170-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT 文件：750.06 Kbytes 页数：10 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
GTVA261701FA-V1-R2	文件：750.06 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz Description The GTVA261701FA is a 170-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT 文件：750.06 Kbytes 页数：10 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
GTVA261701FA-V1-R0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：GAN SIC	WOLFSPEED	WOLFSPEED
GTVA261701FA-V1-R2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：GAN SIC	WOLFSPEED	WOLFSPEED

技术参数

Min Frequency (MHz)：
2300
Max Frequency(MHz)：
2700
P3dB Output Power(W)：
170
Gain(dB)：
17.0
Efficiency(%)：
43
Operating Voltage(V)：
50
Package Category：
Earless
Form：
Packaged Discrete Transistor
Technology：
GaN-on-SiC

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