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GTVA261701FA-V1-R2 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz Description The GTVA261701FA is a 170-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT 文件：750.06 Kbytes 页数：10 Pages | WOLFSPEED | WOLFSPEED | |
GTVA261701FA-V1-R2 | 包装：带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：GAN SIC | WOLFSPEED | WOLFSPEED |
产品属性
- 产品编号：
GTVA261701FA-V1-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
带
- 描述：
GAN SIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cree/Wolfspeed |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
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询价 | ||
WOLFSPEED |
24+ |
N/A |
1384 |
原装原装原装 |
询价 | ||
Cree/Wolfspeed |
100 |
询价 | |||||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
INFINEON |
25+ |
SMD |
26 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
7000 |
询价 |
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更新时间2025-10-4 15:01:00
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