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GTVA355001EC

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMTs 500 W, 50 V, 2900 ??3500 MHz

文件:512.25 Kbytes 页数:6 Pages

CREE

科锐

GTVA355001EC

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 500 W, 50 V, 2900 – 3500 MHz

MACOM

GTVA355001FC

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMTs 500 W, 50 V, 2900 ??3500 MHz

文件:512.25 Kbytes 页数:6 Pages

CREE

科锐

技术参数

  • Peak Output Power Range:

    500 W\>> 500 W

  • Frequency Range:

    2.7 - 4 GHz

  • Technology:

    GaN on SiC

  • Frequency (Min):

    2.9 GHz

  • Frequency (Max):

    3.5 GHz

  • Peak Output Power:

    500 W

  • Gain:

    7 dB\>>7 dB

  • Efficiency:

    65%

  • Operating Voltage:

    50 V

  • Form:

    Packaged Discrete Transistor

  • Package Type:

    Bolt Down

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MACOM
24+
5000
原装军类可排单
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端子
2021+
10000
只做原装,可提供样品
询价
OSRAM
10000
询价
SOSHIN
2022+
SMD-10
44000
原厂代理 终端免费提供样品
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SOSHIN
23+
SMD-10
88000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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SOSHIN
23+
SMD-10
6800
专注配单,只做原装进口现货
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24+
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5000
全现原装公司现货
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UNIDUXHONGKONGLTD
24+
SMD
49000
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2026+
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1000
原厂原装仓库现货,欢迎咨询
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更多GTVA355001EC供应商 更新时间2026-1-30 14:16:00