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GTVA261701FAV1R0规格书详情
描述 Description
High Power RF GaN-SiC HEMT, 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz
特性 Features
·Input Matched
·Typical Pulsed CW performance, 2690 MHz, 48 V, single side
·Output power at P3dB = 170 W
·Efficiency = 72%
·Gain = 16 dB
·GaN-SiC HEMT technology
·High power density
·High efficiency
·RoHS-compliant
技术参数
- 制造商编号
：GTVA261701FAV1R0
- 生产厂家
：Infineon
- Matching
：Input
- Frequency Band min max
：2620.0MHz 2690.0MHz
- P1dB
：170.0W
- Supply Voltage
：50.0V
- Pout
：50.0W
- Gain
：18.0dB
- Test Signal
：WCDMA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
SOSHIN |
23+ |
SMD-10 |
88000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Wolfspeed Inc. |
25+ |
H-37248C-4 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
Cree/Wolfspeed |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
SOSHIN |
23+ |
SMD-10 |
6800 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
WOLFSPEED |
24+ |
N/A |
1384 |
原装原装原装 |
询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83271743邹小姐 |
询价 |
