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GT150N12T	文件：1.05921 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT150N12；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT150N12T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.05921 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
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更多GT150N12供应商更新时间2025-9-19 11:06:00