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GT150N12T	文件：1.05921 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT150N12；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT150N12T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.05921 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT150N12T	文件：300 bytes Page：1 Pages	120V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
SD150N12MBC	文件：196.58 Kbytes Page：8 Pages	STANDARD RECOVERY DIODES Features ■ Wide current range ■ High voltage ratings up to 2500V ■ High surge current capabilities ■ Stud cathode and stud anode version ■ Standard JEDEC types TypicalApplications ■ Converters ■ Power supplies ■ Machine tool controls ■ High power drives ■ Medium traction applications 文件：196.58 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
SD150N12MBV	文件：196.58 Kbytes Page：8 Pages	STANDARD RECOVERY DIODES Features ■ Wide current range ■ High voltage ratings up to 2500V ■ High surge current capabilities ■ Stud cathode and stud anode version ■ Standard JEDEC types TypicalApplications ■ Converters ■ Power supplies ■ Machine tool controls ■ High power drives ■ Medium traction applications 文件：196.58 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
SD150N12MC	文件：196.58 Kbytes Page：8 Pages	STANDARD RECOVERY DIODES Features ■ Wide current range ■ High voltage ratings up to 2500V ■ High surge current capabilities ■ Stud cathode and stud anode version ■ Standard JEDEC types TypicalApplications ■ Converters ■ Power supplies ■ Machine tool controls ■ High power drives ■ Medium traction applications 文件：196.58 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package：
TO-220
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
120
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
55
Pd(W)：
96
Vgs(th)max(V)：
4.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
16
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
18
Qg(nC)：
25
Qgs(nC)：
7
Qgd(nC)：
6
Ciss(pF)：
1650
Crss(pF)：
5
Technology：
SGT

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更多GT150N12T供应商更新时间2025-11-26 11:06:00

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