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GT150N12T中文资料120V N Channel SGT MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

GT150N12T

功能描述

120V N Channel SGT MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:12:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GT150N12T

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :TO-220

  • Type

    :N

  • ESD Diode

    :NO

  • Vds(V)

    :120

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :55

  • Pd(W)

    :96

  • Vgs(th)max(V)

    :4.5

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :16

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :18

  • Qg(nC)

    :25

  • Qgs(nC)

    :7

  • Qgd(nC)

    :6

  • Ciss(pF)

    :1650

  • Crss(pF)

    :5

  • Technology

    :SGT

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