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GT080N10	文件：1.06561 Mbytes Page：6 Pages	型号：GT080N10K；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT080N10Kusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT080N10	文件：952.77 Kbytes Page：6 Pages	型号：GT080N10KA；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT080N10KAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT080N10	文件：1.13043 Mbytes Page：6 Pages	型号：GT080N10M；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT080N10Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT080N10	文件：1.06661 Mbytes Page：6 Pages	型号：GT080N10T；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT080N10Tusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT080N10	文件：1.2602 Mbytes Page：6 Pages	型号：GT080N10TA；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT080N10TAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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更多GT080N10供应商更新时间2025-7-29 14:01:00

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