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G230P06T	文件：918.32 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G230P06；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG230P06Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2310	文件：350.02 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheG2310utilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheG2310isuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. Features SimpleDriveRequirement SmallPackageOutline	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
G2312	文件：839.77 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G2312；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2312usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2313	文件：355.12 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheG2313providethedesignerwithbestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheG2313isuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters. Features *	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
G2314	文件：364.24 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheG2314utilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheG2314isuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. Features Capableof2.5Vgatedrive Lowon-resistance	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
G23N60UF	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-Fast IGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G23N60UFD	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-Fast IGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G2300	文件：326.54 Kbytes Page：4 Pages	N - C H A N N E L E N H A N C E M E N T M O D E P O W E R M O S F E T	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
G2301	文件：391.79 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
G2301	文件：403.04 Kbytes Page：4 Pages	P - C H A N N E L E N H A N C E M E N T M O D E P O W E R M O S F E T	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL

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技术参数

介质温度范围：
482 F (250 C)
产品类别：
Level Gauges

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
香港创芯邦电子有限公司	G23	NEC	23+		10000	现货库存	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	G23	NK/南科功率	2025+	SOT-23	986966	国产	询价
深圳市联世界科技有限公司	G2356HEX	IR	24+/25+		23	原装正品现货库存价优	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	G2302	GTM	23+	SOT-23	6200	绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	G23N60UF	原厂	23+	TO-3P	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	G2305	GTM	24+	SOT23	89500		询价
深圳市凌旭科技有限公司	G2301	GTM	2016+	SOT23-3	9000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	G2305	GTM	2020+	09+	3000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市鹏和科技有限公司	G2305	GTM	24+	SOT-23	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	G2300	GTM	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价

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