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G2312	文件：839.77 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G2312；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2312 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：839.77 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2312	文件：132.1 Kbytes Page：1 Pages	Break-Away Bumpers 文件：132.1 Kbytes 页数：1 Pages	Heyco	Heyco
G2312	文件：132.09 Kbytes Page：1 Pages	Break-Away Bumpers 文件：132.09 Kbytes 页数：1 Pages	Heyco	Heyco
MSP430G2312IPW14	文件：1.79331 Mbytes Page：77 Pages	丝印：G2312；Package：TSSOP(PW)；MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER 1FEATURES 23• Low Supply Voltage Range: 1.8 V to 3.6 V • Ultra-Low Power Consumption – Active Mode: 220 μA at 1 MHz, 2.2 V – Standby Mode: 0.5 μA – Off Mode (RAM Retention): 0.1 μA • Five Power-Saving Modes • Ultra-Fast Wake-Up From Standby Mode in Less Than 1 μs • 16-Bit RISC Architectur 文件：1.79331 Mbytes 页数：77 Pages	TI 德州仪器	TI
MSP430G2312IPW14.A	文件：1.79331 Mbytes Page：77 Pages	丝印：G2312；Package：TSSOP(PW)；MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER 1FEATURES 23• Low Supply Voltage Range: 1.8 V to 3.6 V • Ultra-Low Power Consumption – Active Mode: 220 μA at 1 MHz, 2.2 V – Standby Mode: 0.5 μA – Off Mode (RAM Retention): 0.1 μA • Five Power-Saving Modes • Ultra-Fast Wake-Up From Standby Mode in Less Than 1 μs • 16-Bit RISC Architectur 文件：1.79331 Mbytes 页数：77 Pages	TI 德州仪器	TI
MSP430G2312IPW14.B	文件：1.79331 Mbytes Page：77 Pages	丝印：G2312；Package：TSSOP(PW)；MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER 1FEATURES 23• Low Supply Voltage Range: 1.8 V to 3.6 V • Ultra-Low Power Consumption – Active Mode: 220 μA at 1 MHz, 2.2 V – Standby Mode: 0.5 μA – Off Mode (RAM Retention): 0.1 μA • Five Power-Saving Modes • Ultra-Fast Wake-Up From Standby Mode in Less Than 1 μs • 16-Bit RISC Architectur 文件：1.79331 Mbytes 页数：77 Pages	TI 德州仪器	TI
MSP430G2312IPW14R	文件：1.79331 Mbytes Page：77 Pages	丝印：G2312；Package：TSSOP(PW)；MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER 1FEATURES 23• Low Supply Voltage Range: 1.8 V to 3.6 V • Ultra-Low Power Consumption – Active Mode: 220 μA at 1 MHz, 2.2 V – Standby Mode: 0.5 μA – Off Mode (RAM Retention): 0.1 μA • Five Power-Saving Modes • Ultra-Fast Wake-Up From Standby Mode in Less Than 1 μs • 16-Bit RISC Architectur 文件：1.79331 Mbytes 页数：77 Pages	TI 德州仪器	TI
MSP430G2312IPW14R.A	文件：1.79331 Mbytes Page：77 Pages	丝印：G2312；Package：TSSOP(PW)；MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER 1FEATURES 23• Low Supply Voltage Range: 1.8 V to 3.6 V • Ultra-Low Power Consumption – Active Mode: 220 μA at 1 MHz, 2.2 V – Standby Mode: 0.5 μA – Off Mode (RAM Retention): 0.1 μA • Five Power-Saving Modes • Ultra-Fast Wake-Up From Standby Mode in Less Than 1 μs • 16-Bit RISC Architectur 文件：1.79331 Mbytes 页数：77 Pages	TI 德州仪器	TI
MSP430G2312IPW14R.B	文件：1.79331 Mbytes Page：77 Pages	丝印：G2312；Package：TSSOP(PW)；MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER 1FEATURES 23• Low Supply Voltage Range: 1.8 V to 3.6 V • Ultra-Low Power Consumption – Active Mode: 220 μA at 1 MHz, 2.2 V – Standby Mode: 0.5 μA – Off Mode (RAM Retention): 0.1 μA • Five Power-Saving Modes • Ultra-Fast Wake-Up From Standby Mode in Less Than 1 μs • 16-Bit RISC Architectur 文件：1.79331 Mbytes 页数：77 Pages	TI 德州仪器	TI
G2312	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N Channel
ESD：
NO
VDS：
20V
Id at 25℃(max)：
5A
PD(max)：
1.25W
Vgs(th)typ(V)：
0.7 V
RDS(on)(typ)(@10V)：
12mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
13mΩ
Qg(nC)：
11
Ciss：
780
Crss：
80

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	G2312	GTM	25+	SOT-23	20300	GTM原装特价G2312即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	G2312	GTM	2025+	SOT-23	5000	原装进口价格优请找坤融电子!	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	G2313	GTM	20+	SOT-23	12516	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

更多G2312供应商更新时间2025-12-16 11:03:00

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