G2312芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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G2312	文件：839.77 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G2312；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2312 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：839.77 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2312	文件：839.77 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G2312；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2312 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：839.77 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2312	文件：132.1 Kbytes Page：1 Pages	Break-Away Bumpers 文件：132.1 Kbytes 页数：1 Pages	HeycoHeyco. 海科	Heyco
G2312	文件：132.09 Kbytes Page：1 Pages	Break-Away Bumpers 文件：132.09 Kbytes 页数：1 Pages	HeycoHeyco. 海科	Heyco

更多G2312供应商更新时间2025-8-12 11:10:00