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G230P06T	文件：918.32 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G230P06；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G230P06T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：918.32 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G230P06T	文件：300 bytes Page：1 Pages	41V-60V	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G230P06F	文件：641.54 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G230P06F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：641.54 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G230P06K	文件：624.27 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G230P06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：624.27 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G230P06KA	文件：918.05 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G230P06KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：918.05 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-60V
Id at 25℃(max)：
-60A
PD(max)：
115W
Vgs(th)typ(V)：
-2.6V
RDS(on)(typ)(@10V)：
18mΩ
Qg(nC)：
62
Ciss：
4499
Crss：
230

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G230P06T供应商更新时间2025-10-5 11:06:00

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