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2SK1589	文件：592.28 Kbytes Page：7 Pages	Marking：G17；Package：SC-59；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNELMOSFET FORSWITCHING DESCRIPTION The2SK1589,N-channelverticaltypeMOSFET,isaswitching devicewhichcanbedrivendirectlybytheoutputofICshavinga 5Vpowersource. AstheMOSFEThaslowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,itissuitablefor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
DMN10H170SFGQ-13	文件：517.32 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G17；Package：PowerDI3333-8；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Features 100UnclampedInductiveSwitching,TestinProduction– Ensuresmorereliableandrobustendapplication LowRDS(ON)–Ensuresonstatelossesareminimized Smallformfactorthermallyefficientpackageenableshigher densityendproducts Occupiesjust33oftheboardareao	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN10H170SFGQ-7	文件：517.32 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G17；Package：PowerDI3333-8；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Features 100UnclampedInductiveSwitching,TestinProduction– Ensuresmorereliableandrobustendapplication LowRDS(ON)–Ensuresonstatelossesareminimized Smallformfactorthermallyefficientpackageenableshigher densityendproducts Occupiesjust33oftheboardareao	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
G170P02D2	文件：841.19 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G170P02；Package：DFN2X2-6L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG170P02D2usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G170P02D32	文件：727.81 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G170P02D；Package：DFN3X3-8LDual；DUAL P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG170P02D32usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G170P03D3	文件：656.23 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G170P03；Package：DFN3/3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG170P03D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G170P03D3A	文件：927.88 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G170P03；Package：DFN3/3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG170P03D3Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G170P03S2	文件：874.5 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G170P03；Package：SOP-8Dual；Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG170P03S2usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G170P06M	文件：995.61 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G170P06；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG170P06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G170P06S	文件：1.0138 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G170P06；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG170P06Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

详细参数

型号：
G17
制造商：
Alpha Wire
功能描述：
GRP1703/4 BLACK 250 FT
功能描述：
SLEEVE PPS 3/4 BLACK 250'
功能描述：
SLEEVING, EXPANDABLE BRAIDED, 19.05MM, BLK, 250FT, Sleeving/Tubing
Type：
Expandable,
Length：
76.2m, Sleeving
Material：
Polyphenylene Sulfide, Internal
Diameter：
19.05mm, Sleeving
Color：
Black, Body
Material：
Polyphenylene Sulfide , RoHS
Compliant：
Yes
制造商：
Belden Inc
Type：
Expan

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	G17	NK/南科功率	2025+	SOT-23-3L	3000	国产南科平替供应大量	询价
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