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G170P03S2	文件：874.5 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G170P03；Package：SOP-8Dual；Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G170P03S2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：874.5 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G170P03S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V P+P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G1840SR1VK	文件：0 bytes Page：0 Pages	Intel FCLGA1150	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel

技术参数

Package：
SOP-8 DUAL
Type：
P+P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
-30
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
-11
Pd(W)：
2.5
Vgs(th)max(V)：
-2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
15
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
20
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
18
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
25
Qg(nC)：
40
Qgs(nC)：
5
Qgd(nC)：
7.5
Ciss(pF)：
1786
Crss(pF)：
208
Technology：
TRENCH

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