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G1M	文件：1.71047 Mbytes Page：3 Pages	Marking：G1M；Package：SOD-123FL；Surface Mount General Purpose Rectifier G1A Through G1M FEATURES Lowprofilepackage Idealforautomatedplacement Glasspassivatedchipjunction Highforwardsurgecapability MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
UPG158TB-E3	文件：246.35 Kbytes Page：12 Pages	Marking：G1M；GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.5to5.3V(3.0VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.30dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,Vcont=3.0V/0V :LINS2=0.40dBTYP.@f=2.0GHz,Vcont=3.0V/0V :LINS3=0.90dBMAX.@f=2.0to2.5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
G1MFS	文件：1.14096 Mbytes Page：3 Pages	Marking：G1MFS；Package：SMAF；Surface Mount General Purpose Rectifier G1AFS Through G1MFS FEATURES ●Lowprofilepackage ●Idealforautomatedplacement ●Glasspassivatedchipjunction ●Highforwardsurgecapability ●MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE

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Marking：G1M；Package：SOD-123FL；Surface Mount General Purpose Rectifier G1A Through G1M

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UPG158TB-E3

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Page：12 Pages

Marking：G1M；GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.5to5.3V(3.0VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.30dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,Vcont=3.0V/0V :LINS2=0.40dBTYP.@f=2.0GHz,Vcont=3.0V/0V :LINS3=0.90dBMAX.@f=2.0to2.5

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

G1MFS

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Page：3 Pages

Marking：G1MFS；Package：SMAF；Surface Mount General Purpose Rectifier G1AFS Through G1MFS

FEATURES ●Lowprofilepackage ●Idealforautomatedplacement ●Glasspassivatedchipjunction ●Highforwardsurgecapability ●MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C

RFERFE international

RFE国际公司RFE国际股份有限公司

RFE

产品属性

产品编号：
G1M
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-123F
供应商器件封装：
SOD-123FL
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 1000V 1A SOD123FL

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