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G2012 | Marking：G2012；Package：DFN2/2-6L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2012usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Application ⚫Powerswitch ⚫DC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | GOFORD | |
Marking：G2012；Package：DFN2/2-6L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2012AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application ⚫Powerswitch ⚫DC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | GOFORD |
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