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G2012中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

G2012

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

G2012

封装外壳

DFN2/2-6L

文件大小

937.57 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

GOFORD

中文名称

谷峰半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-5 16:05:00

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G2012规格书详情

描述 Description

The G2012 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Application

⚫ Power switch

⚫ DC/DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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