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G20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	型号：SGP20N60；Package：PG-TO-220-3-1；Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
G20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	型号：SGW20N60；Package：PG-TO-247-3；Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
G20N60C3	文件：81.67 Kbytes Page：7 Pages	型号：HGT1S20N60C3S；Package：TO-263AB；45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately	Intersil Intersil Corporation
G20N60C3	文件：81.67 Kbytes Page：7 Pages	型号：HGTG20N60C3；Package：TO-247；45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately	Intersil Intersil Corporation
G20N60C3D	文件：123.08 Kbytes Page：8 Pages	型号：HGTG20N60C3D；Package：TO-247；45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode TheHGTG20N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderate	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
G20N60C3D	文件：82.71 Kbytes Page：7 Pages	型号：HGTG20N60C3D；Package：TO-247；45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode TheHGTG20N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderate	Intersil Intersil Corporation
G20N60C3	文件：81.67 Kbytes Page：7 Pages	型号：HGTP20N60C3；Package：TO-220AB；45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately	Intersil Intersil Corporation
G20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	型号：SGP20N60HS；Package：PG-TO-220-3-1；High Speed IGBT in NPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
G20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	型号：SGW20N60HS；Package：PG-TO-247-3；High Speed IGBT in NPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
G20N60
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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