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G20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	型号：SGP20N60HS；Package：PG-TO-220-3-1；High Speed IGBT in NPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
G20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	型号：SGW20N60HS；Package：PG-TO-247-3；High Speed IGBT in NPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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型号：SGP20N60HS；Package：PG-TO-220-3-1；High Speed IGBT in NPT-technology

HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -

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型号：SGW20N60HS；Package：PG-TO-247-3；High Speed IGBT in NPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

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详细参数

型号：
G20N60HS
功能描述：
IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多G20N60HS供应商更新时间2025-8-1 15:30:00

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