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G170P03D3 | 丝印：G170P03；Package：DFN3/3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G170P03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：656.23 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
G170P03D3 | Trench Mosfet | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
丝印：G170P03；Package：DFN3/3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G170P03D3A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：927.88 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | ||
Intel | Intel |
技术参数
- Configuration：
P channel
- ESD：
NO
- VDS(min)：
-30V
- Id at 25℃(max)：
-20A
- PD(max)：
28W
- Vgs(th)typ(V)：
-1.4V
- RDS(on)(typ)(@10V)：
12mΩ
- RDS(on)(typ)(@4.5V)：
17mΩ
- Qg(nC)：
35
- Ciss：
1805
- Crss：
207
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2025+ |
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986966 |
国产 |
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只做原装公司现货 |
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SOP-8P |
3092 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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