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G170P03D3	文件：656.23 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G170P03；Package：DFN3/3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG170P03D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G170P03D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet;	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G170P03D3A	文件：927.88 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G170P03；Package：DFN3/3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG170P03D3Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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G170P03D3

文件：656.23 Kbytes

Page：6 Pages

丝印：G170P03；Package：DFN3/3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG170P03D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

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G170P03D3

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Trench Mosfet;

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谷峰半导体

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G170P03D3A

文件：927.88 Kbytes

Page：6 Pages

丝印：G170P03；Package：DFN3/3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG170P03D3Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

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GOFORD

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-30V
Id at 25℃(max)：
-20A
PD(max)：
28W
Vgs(th)typ(V)：
-1.4V
RDS(on)(typ)(@10V)：
12mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
17mΩ
Qg(nC)：
35
Ciss：
1805
Crss：
207

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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