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Marking：G1K3N10；Package：SOT-89；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1K3N10Gusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | GOFORD | ||
Marking：G1K3N10；Package：SOT-23-6L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1K3N10LLusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | GOFORD |
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