G120P06T芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

丝印	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
G120P06	文件：599.26 Kbytes Page：6 Pages	型号：G120P06M；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG120P06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G120P06	文件：492.02 Kbytes Page：6 Pages	型号：G120P06T；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG120P06Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G120P06L	文件：1.48186 Mbytes Page：11 Pages	型号：HYG120P06LR1D；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司
G120P06L	文件：1.48186 Mbytes Page：11 Pages	型号：HYG120P06LR1U；Package：TO-251-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司
G120P06L	文件：1.48186 Mbytes Page：11 Pages	型号：HYG120P06LR1V；Package：TO-251-3S；P-Channel Enhancement Mode MOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司

更多G120P06供应商更新时间2025-8-4 11:06:00