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2SK1580	文件：327.47 Kbytes Page：7 Pages	Marking：G13；Package：SC-70；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELMOSFET DESCRIPTION The2SK1580isanN-channelverticaltypeMOSFETwhich canbedrivenby2.5Vpowersupply. Asthe2SK1580isdrivenbylowvoltageanddoesnotrequire considerationofdrivingcurrent,itissuitableforappliance includingVCRcamerasandhea	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BZG03C13	文件：1.54174 Mbytes Page：3 Pages	Marking：G13；Package：DO-214AC；Zener Diodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
G130N06M	文件：969.35 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G130N06；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG130N06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G130N06S	文件：1.06846 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G130N06；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG130N06Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G130N06S2	文件：938.5 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G130N06D；Package：SOP-8Dual；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG130N06S2usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G135P04D3	文件：966.83 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G135P04；Package：DFN3X3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG135P04D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G135P04K	文件：912.34 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G135P04；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG135P04Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G13P04S	文件：1.03799 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G13P04；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG13P04Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
AP2112R5-2.6TRG1	文件：743.27 Kbytes Page：18 Pages	Marking：G13F；Package：SOT89-5；600mA CMOS LDO REGULATOR WITH ENABLE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AP2112R5A-2.6TRG1	文件：743.27 Kbytes Page：18 Pages	Marking：G13E；Package：SOT89-5；600mA CMOS LDO REGULATOR WITH ENABLE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
G13
制造商：
TAYCHIPST
制造商全称：
Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
功能描述：
Silicon Za??Diodes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
香港创芯邦电子有限公司	G13	NEC	23+		30000	现货库存	询价
深圳市星佑电子有限公司	G138ADBR	TI	02/03+	SSOP-16	336	全新原装100真实现货供应	询价
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深圳市卓越微芯电子有限公司	G1337RC1U	GMT	2020+	QFN	894	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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