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G130N06S2中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

G130N06S2
厂商型号

G130N06S2

功能描述

DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

G130N06D

封装外壳

SOP-8Dual

文件大小

938.5 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企业简称

GOFORD谷峰半导体

中文名称

谷峰半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 22:59:00

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G130N06S2规格书详情

Description

The G130N06S2 uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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