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STGW15H120F2	文件：801.85 Kbytes Page：17 Pages	丝印：G15H120F2；Package：TO-247；Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed Description These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the improved H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of high frequency co 文件：801.85 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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更多G15H120F2供应商更新时间2025-8-14 18:06:00