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SS10100FL-AU_R1_000A1	文件：132.43 Kbytes Page：5 Pages	Marking：G10；Package：SOD-123FL；SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES Features Lowforwardvoltagedrop Dealforautomatedplacement Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecurrentcapability LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard AEC-Q101qualified	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZG03C10	文件：1.54174 Mbytes Page：3 Pages	Marking：G10；Package：SMA；Zener Diodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
G1002	文件：901.43 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1002；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1002usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1002A	文件：1.11734 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G1002；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1002Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1002L	文件：888.83 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1002L；Package：SOT-23-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1002Lusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1003A	文件：745.97 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1003A；Package：SOT23-3L；N-Channel Enhancement MOSFET Description TheG1003Ausesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ItisESDprotected. GeneralFeatures HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevolta	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
G1003A	文件：891.59 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1003A；Package：SOT-23-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1003Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1003B	文件：780.45 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1003B；Package：SOT-23-3；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1003Busesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1005	文件：2.53766 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G1005；Package：TO-92；PWM applications TheG1005usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. Application ●PWMapplications ●Loadswitch ●Powermanagement	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1006LE	文件：891.32 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1006；Package：SOT-23-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1006LEusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

产品属性

产品编号：
G10
制造商：
XP Power
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
系列：
XP EMCO - G (1.5W)
包装：
管件
类型：
高电压 - 隔离模块
电压 - 输入（最小值）：
0.7V
电压 - 输入（最大值）：
12V
电压 - 输出 1：
1000V
电流 - 输出（最大值）：
1.5mA
应用：
ITE（商业）
特性：
比例输出
工作温度：
-10°C ~ 60°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
4-DIP 模块
大小 / 尺寸：
1.50" 长 x 1.50" 宽 x 0.63" 高（38.1mm x 38.1mm
描述：
DC DC CONVERTER 1000V 1.5W

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