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G1007	文件：2.6052 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G1007；Package：SOP-8；Power switching application GeneralDescription TheG1007combinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackageto provideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealfor powerswitchingapplicationandLEDbacklighting. Application ●Powerswitchingapplication ●LEDbacklighting	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1008B	文件：661.96 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1008B；Package：SOP-8DUAL；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1008Busesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G100C04D52	文件：1.27131 Mbytes Page：10 Pages	Marking：G100C04；Package：DFN5/6-8LDual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG100C04D52usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G100N03	文件：766.81 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G100N03；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG100N03usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G100N03D5	文件：620.32 Kbytes Page：5 Pages	Marking：G100N03；Package：DFN5/6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG100N03D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G100N03D5A	文件：818.89 Kbytes Page：5 Pages	Marking：G100N03；Package：DFN5/6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG100N03D5Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G100N04T	文件：1.78646 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G100N04；Package：TO-220；PWM applications Description TheG100N04Tusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. Application ●PWM ●LoadSwitching	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G100P04D5	文件：875.24 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G100P04；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG100P04D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G100P04KA	文件：1.04519 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G100P04；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG100P04KAusesadvancedtrenchtechnologytoprovid eexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G100P04KH	文件：652.48 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G100P04H-HZR；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG100P04KHusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

产品属性

产品编号：
G10
制造商：
XP Power
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
系列：
XP EMCO - G (1.5W)
包装：
管件
类型：
高电压 - 隔离模块
电压 - 输入（最小值）：
0.7V
电压 - 输入（最大值）：
12V
电压 - 输出 1：
1000V
电流 - 输出（最大值）：
1.5mA
应用：
ITE（商业）
特性：
比例输出
工作温度：
-10°C ~ 60°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
4-DIP 模块
大小 / 尺寸：
1.50" 长 x 1.50" 宽 x 0.63" 高（38.1mm x 38.1mm
描述：
DC DC CONVERTER 1000V 1.5W

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