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G1002L	文件：888.83 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G1002L；Package：SOT-23-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G1002L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：888.83 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G1002L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
MRF1002	文件：109.38 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE POWER TRANSISTORS The RF Line Microwave pulse Power Transistors . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. • Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 35 Vdc Output Power = 2.0 Watts Peak Minimum Gain = 10 dB • 100 Tested 文件：109.38 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF1002MA	文件：109.38 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE POWER TRANSISTORS The RF Line Microwave pulse Power Transistors . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. • Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 35 Vdc Output Power = 2.0 Watts Peak Minimum Gain = 10 dB • 100 Tested 文件：109.38 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF1002MB	文件：109.38 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE POWER TRANSISTORS The RF Line Microwave pulse Power Transistors . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. • Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 35 Vdc Output Power = 2.0 Watts Peak Minimum Gain = 10 dB • 100 Tested 文件：109.38 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(max)：
100V
Id at 25℃(max)：
2A
PD(max)：
1.1W
Vgs(th)typ(V)：
1.8V
RDS(on)(typ)(@10V)：
180mΩ~250mΩ
Qg(nC)：
5.2
Ciss：
190
Crss：
13

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	G1002L	GOFORD	2025+	SOT-23-3L	5000	原装进口价格优请找坤融电子!	询价
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更多G1002L供应商更新时间2026-10-27 11:16:00

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