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G1002L	文件：888.83 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G1002L；Package：SOT-23-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G1002L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：888.83 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G1002L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G1002VS	文件：3.10724 Mbytes Page：3 Pages	Surface Mount Standard Rectifiers 文件：3.10724 Mbytes 页数：3 Pages	JUXING 广东钜兴电子	JUXING
GBJ1002	文件：65.22 Kbytes Page：2 Pages	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Features • Glass Passivated Die Construction • High Case Dielectric Strength of 1500VRMS • Low Reverse Leakage Current • Surge Overload Rating to 170A Peak • Ideal for Printed Circuit Board Applications • UL Listed Under Recognized Component Index, File Number E94661 • Lead Fr 文件：65.22 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
GBJ1002	文件：240.74 Kbytes Page：4 Pages	Single-Phase Glass Passivated Bridge Rectifier Features • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94 V-0 • Glass passivated die construction • High case dielectric strength of 1500 VRMS • Low reverse leakage current • Ideal for printed circuit boards • Surge overload rating to 170A Peak • Th 文件：240.74 Kbytes 页数：4 Pages	TAITRON	TAITRON

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(max)：
100V
Id at 25℃(max)：
2A
PD(max)：
1.1W
Vgs(th)typ(V)：
1.8V
RDS(on)(typ)(@10V)：
180mΩ~250mΩ
Qg(nC)：
5.2
Ciss：
190
Crss：
13

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更多G1002L供应商更新时间2026-1-19 15:09:00

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