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KI7N10DY	文件：373.21 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSM7N10L	文件：1.63418 Mbytes Page：6 Pages	100VLOGICN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD7N10	文件：1.17711 Mbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD7N10L	文件：1.1856 Mbytes Page：8 Pages	100VLOGICN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU7N10	文件：1.17711 Mbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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RFD7N10LE	文件：361.53 Kbytes Page：7 Pages	7A,100V,0.300Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingamodernprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregula	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFD7N10LESM	文件：361.53 Kbytes Page：7 Pages	7A,100V,0.300Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingamodernprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregula	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
SSPR7N10	文件：475.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

详细参数

型号：
FQD7N10LTM
功能描述：
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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