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FQB7N65CTM	文件：723.41 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
7N65	文件：150.93 Kbytes Page：8 Pages	7Amps,650Volts7Amps,650Volts DESCRIPTION TheUTC7N65isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65	文件：180.91 Kbytes Page：6 Pages	7.4Amps,650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
7N65	文件：1.15512 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
7N65	文件：2.22764 Mbytes Page：9 Pages	650VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON)	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
7N65	文件：618.55 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION 7N607N65isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinswitch	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
7N65	文件：137.09 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=7A@TC=25C •FEATURES •DrainCurrentID=7A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •APPLICATIONS •Highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies •PWM	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
7N65	文件：173.56 Kbytes Page：6 Pages	7.4A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
7N65	文件：1.3107 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description 650VN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features RDS(ON)=1.27Ω(Max.)@VGS=10V,ID=3.5A Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability Application DC-DC&DC-ACConverters UninterruptiblePowerSupply(UPS) SwitchModeLowPowerSu	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
7N65	文件：692.23 Kbytes Page：11 Pages	N-channelpowerMOStube Features VDS(V)=650V RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
7N65A	文件：1.08437 Mbytes Page：7 Pages	7A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor 7A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor Performancecharacteristics: ♦Fastswitchingspeed ♦Lowon-resistance ♦Lowreversetransfercapacitance ♦Lowgatecharge ♦100singlepulseavalancheenergytest ♦Improveddv/dtcapability	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
7N65A	文件：283.57 Kbytes Page：7 Pages	7A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65AisahighvoltageN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsdesignedtohaveminimizeon-stateresistance,superiorswitchingperformanceandwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode.ThispowerMOSFETiswellsuitedforhigheffi	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65B	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
7N65C	文件：886.6 Kbytes Page：10 Pages	650VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
7N65D	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
7N65F	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
7N65F	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
7N65F	文件：692.23 Kbytes Page：11 Pages	N-channelpowerMOStube Features VDS(V)=650V RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW

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详细参数

型号：
FQB7N65CTM
功能描述：
MOSFET 650V 7A NCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQB7N65CTM	onsemi(安森美)	23+	TO-263	8357	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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