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FQP7N65C	文件：886.6 Kbytes Page：10 Pages	650V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP7N65C	文件：296.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF7N65C	文件：886.6 Kbytes Page：10 Pages	650VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF7N65C	文件：278.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FTK7N65D	文件：615.09 Kbytes Page：7 Pages	7.0Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK7N65DD	文件：615.09 Kbytes Page：7 Pages	7.0Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK7N65F	文件：615.09 Kbytes Page：7 Pages	7.0Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK7N65I	文件：615.09 Kbytes Page：7 Pages	7.0Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK7N65P	文件：615.09 Kbytes Page：7 Pages	7.0Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G7N65F	文件：716.77 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description ThisadvancedMOSFETfamilyhasoptimizedon-state resistance,andalsoprovidessuperiorswitching performanceandhigheravalancheenergystrength.This devicefamilyissuitableforhighefficiencyswitchmode powersupplies. Application lLEDpowersupplies lCellPhoneC	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

详细参数

型号：
FQP7N65C
功能描述：
MOSFET N-CH/650V/7A/QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQP7N65C供应商更新时间2025-5-21 10:22:00

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