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FQPF16N15

150V N CHANNEL MOSFET

150V N-Channel MOSFET

文件:722.88 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQPF16N15

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=11.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.16Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:278.2 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FQPF16N15

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,150 V,11.6 A,160 mΩ,TO-220F

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 \"\n 11.6A, 150V, RDS(on)= 160mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 5.8A栅极电荷低(典型值:23nC)\n 低 Crss(典型值30pF)\n 100% 经过雪崩击穿测试\n 175°C最大结温额定值\"\n 175°C maximum junction temperature rating\";

ONSEMI

安森美半导体

FQU16N15

150V N-Channel MOSFET

文件:730.22 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSMD16N15

150V N-CHANNEL MOSFET

文件:1.64286 Mbytes 页数:8 Pages

KERSEMI

KSMF16N15

150V N-CHANNEL MOSFET

文件:1.98988 Mbytes 页数:7 Pages

KERSEMI

技术参数

  • Compliance:

    Pb-free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     N-Channel QFET® MOSFET 150V

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

     

  • V(BR)DSS Min (V):

    150

  • VGS Max (V):

    ±25

  • VGS(th) Max (V):

    25

  • ID Max (A):

    11.6

  • PD Max (W):

    53

  • GS = 2.5 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

  • GS = 10 V\ style=\cursor:

    help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:

    help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

  • GS = 10 V\ style=\cursor:

    help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

  • Ciss Typ (pF):

    700

  • Package Type:

    TO-220-3 FullPak

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FQPF16N15供应商 更新时间2026-1-26 23:00:00