FQPF16N15中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，150 V，11.6 A，160 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF16N15规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
\"
11.6A, 150V, RDS(on)= 160mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5.8A栅极电荷低（典型值：23nC)
低 Crss（典型值30pF)
100% 经过雪崩击穿测试
175°C最大结温额定值\"
175°C maximum junction temperature rating\"
应用 Application
照明
技术参数
- 制造商编号
：FQPF16N15
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel QFET® MOSFET 150V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：25
- ID Max (A)
：11.6
- PD Max (W)
：53
- GS = 2.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：
- GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：
- GS = 10 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：160
- GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：
- GS = 10 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：23
- Ciss Typ (pF)
：700
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
840 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FSC |
25+ |
TO-220F |
95 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FCD |
25+ |
QFP |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-220F |
4829 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
8866 |
询价 | |||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封□□ |
78828 |
原装进口特价供应特价，原装元器件供应，支持开发样品更多详细咨询库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-220F |
3000 |
原装库存 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3854 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |
