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FQPF13N50C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，13.5 A，480 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF13N50C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供出色的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
特性 Features
•13 A、500 V、RDS(on) = 480 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6.5 A
•低栅极电荷（典型值 43 nC)
•低 Crss（典型值 20 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 型号：
FQPF13N50C
- 功能描述：
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
9526 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FARICHILD |
2450+ |
T0-220 |
9485 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FSC |
25+ |
DIP-8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
仙童 |
11+ |
TO-220F |
3000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
N/A |
16491 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
fsc |
23+ |
NA |
1086 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 |
