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FQPF12N60C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQPF12N60C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻,提供出色的开关性能,可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
特性 Features
•12 A、600 V、RDS(on) = 650 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 6 A
•低栅极电荷(典型值 48 nC)
•低 Crss(典型值 21 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 型号:
FQPF12N60C
- 功能描述:
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
25+ |
TO-220F |
1000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220F(TO-220IS) |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-220F |
4000 |
原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
50 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220F |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FSC |
23+ |
TO-220F |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD 仙童 |
21+ |
TO-220 |
48071 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FSC |
24+/25+ |
TO-220F |
10000 |
热卖全新原装现货,公司库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
7700 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220F(TO-220IS) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |