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FQPF12N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，12 A，650 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF12N60C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供出色的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
特性 Features
•12 A、600 V、RDS(on) = 650 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6 A
•低栅极电荷（典型值 48 nC)
•低 Crss（典型值 21 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 型号：
FQPF12N60C
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-220F |
4500 |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220F |
4500 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220F |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-220F |
6893 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
FSC |
23+ |
NA |
3500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
FSC |
17+ |
TO220 |
9888 |
只做原装,现货库存 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
TO-220F |
299 |
深圳原装进口无铅现货 |
询价 |
