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FQPF12N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，12 A，650 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF12N60C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供出色的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
特性 Features
•12 A、600 V、RDS(on) = 650 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6 A
•低栅极电荷（典型值 48 nC)
•低 Crss（典型值 21 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 型号：
FQPF12N60C
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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