首页>FQPF10N60C>规格书详情
FQPF10N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，9.5 A，730 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF10N60C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、有源功率系数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。
特性 Features
•9.5 A、600 V、RDS(on) = 730 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.75 A
•低栅极电荷（典型值 44 nC)
•低 Crss（典型值 18 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 型号：
FQPF10N60C
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD原装正品专卖 |
23+ |
TO-220F |
69526 |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FSC |
25+ |
DIP-8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220F |
22000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
仙童 |
09+ |
TO-220F |
76000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
ROHSTRANSMOSFETN- |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
N/A |
13048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 |
