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FQPF10N60C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、有源功率系数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。
特性 Features
•9.5 A、600 V、RDS(on) = 730 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.75 A
•低栅极电荷（典型值 44 nC)
•低 Crss（典型值 18 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 型号：
FQPF10N60C
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
2016+ |
TO-220F |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
FSC |
23+ |
NA |
3500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
54648 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F |
45000 |
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询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
1437 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FSC |
24+/25+ |
TO-220F |
1000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
20540 |
保证进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
onsemi |
两年内 |
NA |
426 |
实单价格可谈 |
询价 |
