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FQPF10N20C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，9.5 A，360 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF10N20C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•9.5A, 200V, RDS(on)= 360mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4.75A栅极电荷低（典型值：20nC)
•低 Crss（典型值40.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试\"
• 100% avalanche tested
应用 Application
• CRT/RPTV
技术参数
- 制造商编号
：FQPF10N20C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：9.5
- PD Max (W)
：38
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：360
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：20
- Ciss Typ (pF)
：395
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO220F |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Fairchild |
25+ |
DIP40 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
FARCHLD |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
58486 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
TO-220 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
2063 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F |
45000 |
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