FQP7N80C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，7 A，1.9 Ω，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP7N80C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•6.6A, 800V, RDS(on)= 1.9Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.3A栅极电荷低（典型值：27nC)
•低 Crss（典型值10pF)
•100% 经过雪崩击穿测试\"
• 100% avalanche tested
应用 Application
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
技术参数
- 制造商编号
：FQP7N80C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：6.6
- PD Max (W)
：167
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1900
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：27
- Ciss Typ (pF)
：1290
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
21+ |
TO220 |
25071 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-220 |
2019 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
ON |
24+ |
TO-220 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-220 |
12000 |
现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FSC |
25+ |
TO-220- |
20 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
FAIRCHILDSEM |
2025+ |
TO-220-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |
